上海伯东代理美国原装进口KRI考夫曼型离子源 RFICP 100紧凑设计,适用于离子溅镀和离子蚀刻.小尺寸设计但是可以输出>400 mA离子流.考夫曼型离子源 RFICP 100源直径19cm安装在10”CF法兰,在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件,可以很好的控制离子束去溅射靶材,实现**的薄膜特性.在离子刻蚀工艺中,离子源与离子光学配合,蚀刻均匀.标准配置下RFICP 100离子能量范围100至1200ev,离子电流可以达到400 mA.
KRI 射频离子源 RFICP 100技术参数:
型号 | RFICP 100 |
Discharge阳 | RF射频 |
离子束流 | >350 mA,可以达到400 mA |
离子动能 | 100-1200 V |
栅直径 | 10 cm Φ |
离子束 | 聚焦,平行,散射 |
流量 | 5-30 sccm |
通气 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2,其他 |
典型压力 | < 0.5m Torr |
长度 | 23.5 cm |
直径 | 19.1 cm |
中和器 | LFN 2000 |
KRI 射频离子源 RFICP 100应用领域:
预清洗
表面改性
辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,
溅镀和蒸发镀膜PC
离子溅射沉积和多层结构IBSD
离子蚀刻IBE
1978年Dr. Kaufman博士在美国创立Kaufman & Robinson, Inc公司,研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源.美国考夫曼离子源历经 40年改良及发展已多项. KRi离子源广泛用于离子清洗PC,离子蚀刻IBE,辅助镀膜IBAD,离子溅射镀膜IBSD领域,上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
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