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伯东企业（上海）有限公司
主营：pfeiffer,氦质谱检漏仪,inTEST - 13918837267
伯东企业（上海）有限公司
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上海伯东代理美国原装进口KRI 霍尔离子源 eH 2000是一款强大的版本,带有水冷方式,他具备eH 1000所有的性能,低成本设计提供高离子电流,特别适合大中型真空系统.通常应用于离子辅助镀膜,预清洗和低能量离子蚀刻.
尺寸:直径= 5.7“高= 5.5”
放电电压/电流: 50-300V / 10A或15A
操作气体: Ar, Xe, Kr, O2, N2,前体
KRI 霍尔离子源 eH 2000特性：
• 水冷-与eh 1000对比,提供高的离子输出电流
• 可拆卸阳组件-易于维护;维护时,大限度地减少停机时间;即插即用备用阳
• 宽波束高放电电流-高电流密度;均匀的蚀刻率;刻蚀效率高;高离子辅助镀膜IAD效率
• 多用途-适用于Load lock /高真空系统;安装方便
• 高效的等离子转换和稳定的功率控制
KRI 霍尔离子源 eH 2000技术参数：
型号 | eH 2000 / eH 2000L / eH 2000x02/ eH 2000 LEHO |
供电 | DC magnetic confinement |
-电压 | 40-300V VDC |
-离子源直径 | ~ 5 cm |
-阳结构 | 模块化 |
电源控制 | eHx-30010A |
配置 | - |
-阴中和器 | Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode |
-离子束发散角度 | > 45° (hwhm) |
-阳 | 标准或Grooved |
-水冷 | 前板水冷 |
-底座 | 移动或快接法兰 |
-高度 | 4.0' |
-直径 | 5.7' |
-加工材料 | 金属 |
电介质 | |
半导体 | |
-工艺气体 | Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors |
-安装距离 | 16-45” |
-自动控制 | 控制4种气体 |
*可选:可调角度的支架; Sidewinder |
KRI 霍尔离子源 eH2000应用领域：
• 离子辅助镀膜IAD
• 预清洗Load lock preclean
• 预清洗In-situ preclean
• Direct Deposition
• Surface Modification
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978年Dr. Kaufman博士在美国创立Kaufman & Robinson, Inc公司,研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源.美国考夫曼离子源历经 40年改良及发展已多项. KRi离子源广泛用于离子清洗PC,离子蚀刻IBE,辅助镀膜IBAD,离子溅射镀膜IBSD领域,上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论,请联络上海伯东邓女士,分机134