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伯东企业（上海）有限公司
主营：pfeiffer,氦质谱检漏仪,inTEST - 13918837267
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上海伯东代理美国原装进口KRI考夫曼离子源 KDC 40:小型低成本直流栅离子源. KDC 40是3cm考夫曼型离子源升级款.具有大的栅,坚固,可以配置自对准*三层栅. 离子源 KDC 40适用于所有的离子工艺,例如预清洗,表面改性,辅助镀膜,溅射镀膜,离子蚀刻和沉积. 离子源 KDC 40兼容惰性或活性气体,例如氧气和氮气.标准配置下离子能量范围100至1200ev,离子电流可以过120 mA.
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 技术参数：
型号 | KDC 40 |
供电 | DC magnetic confinement |
-阴灯丝 | 1 |
-阳电压 | 0-100V DC |
电子束 | OptiBeam™ |
-栅 | **,自对准 |
-栅直径 | 4 cm |
中和器 | 灯丝 |
电源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
-阴中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
-架构 | 移动或快速法兰 |
-高度 | 6.75' |
-直径 | 3.5' |
-离子束 | 集中 |
平行 | |
散设 | |
-加工材料 | 金属 |
电介质 | |
半导体 | |
-工艺气体 | 惰性 |
活性 | |
混合 | |
-安装距离 | 6-18” |
-自动控制 | 控制4种气体 |
*可选:可调角度的支架 |
KRI 考夫曼离子源 KDC 40 应用领域：
溅镀和蒸发镀膜PC
辅助镀膜(光学镀膜)IBAD
表面改性,激活SM
离子溅射沉积和多层结构IBSD
离子蚀刻IBE
1978年Dr. Kaufman博士在美国创立Kaufman & Robinson, Inc公司,研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源.美国考夫曼离子源历经 40年改良及发展已多项. KRi离子源广泛用于离子清洗PC,离子蚀刻IBE,辅助镀膜IBAD,离子溅射镀膜IBSD领域,上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.
若您需要进一步的了解产品详细信息或讨论,请联络上海伯东邓女士,分机134